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1 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 ulapproved(e83335) econopim?3modulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolleddiodeundntc econopim?3modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolleddiodeandntc vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 650v i c nom = 100a / i crm = 200a typischeanwendungen typicalapplications ? ? motorantriebe motordrives elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? erh?htesperrspannungsfestigkeitauf650v increasedblockingvoltagecapabilityto650v ? ? hohe kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender kurzschlussstrom high short circuit capability, self limiting short circuitcurrent ? ? trenchigbt4 trenchigbt4 ? ? t vjop =150c t vjop =150c ? ? v cesat mitpositivemtemperaturkoeffizienten v cesat withpositivetemperaturecoefficient mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? integrierterntctemperatursensor integratedntctemperaturesensor ? ? kupferbodenplatte copperbaseplate ? ? l?tverbindungstechnik soldercontacttechnology ? ? standardgeh?use standardhousing modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 650 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 70c, t vj max = 175c i c nom 100 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 200 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 335 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 100 a, v ge = 15 v i c = 100 a, v ge = 15 v i c = 100 a, v ge = 15 v v ce sat 1,55 1,70 1,75 1,95 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 1,60 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 1,00 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 2,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 6,20 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,19 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 650 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r gon = 3,3 w t d on 0,07 0,08 0,08 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r gon = 3,3 w t r 0,02 0,02 0,02 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r goff = 3,3 w t d off 0,26 0,29 0,30 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r goff = 3,3 w t f 0,07 0,07 0,07 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 100 a, v ce = 300 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, di/dt = 5100 a/s (t vj = 150c) r gon = 3,3 w e on 0,33 0,77 0,88 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 100 a, v ce = 300 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, du/dt = 4000 v/s (t vj = 150c) r goff = 3,3 w e off 3,50 4,70 4,90 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 360 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 480 380 a a t vj = 25c t vj = 150c t p 10 s, t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,45 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,14 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
3 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 650 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 100 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 200 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 1100 990 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 100 a, v ge = 0 v i f = 100 a, v ge = 0 v i f = 100 a, v ge = 0 v v f 1,55 1,50 1,45 1,95 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 100 a, - di f /dt = 5100 a/s (t vj =150c) v r = 300 v v ge = -15 v i rm 130 150 160 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 100 a, - di f /dt = 5100 a/s (t vj =150c) v r = 300 v v ge = -15 v q r 4,00 8,00 10,0 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 100 a, - di f /dt = 5100 a/s (t vj =150c) v r = 300 v v ge = -15 v e rec 1,30 2,25 2,75 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 0,80 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,25 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c diode,gleichrichter/diode,rectifier h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1600 v durchlassstromgrenzeffektivwertprochip maximumrmsforwardcurrentperchip t c = 80c i frmsm 100 a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t c = 80c i rmsm 150 a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i fsm 740 580 a a grenzlastintegral i2t-value t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 2750 1700 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage t vj = 150c, i f = 100 a v f 1,10 v sperrstrom reversecurrent t vj = 150c, v r = 1600 v i r 1,00 ma w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 0,50 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,16 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
4 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,brems-chopper/igbt,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 650 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 75 95 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 150 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 250 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 75 a, v ge = 15 v i c = 75 a, v ge = 15 v i c = 75 a, v ge = 15 v v ce sat 1,55 1,70 1,75 1,95 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 1,20 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,75 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 4,60 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,145 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 650 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r gon = 5,1 w t d on 0,025 0,025 0,025 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r gon = 5,1 w t r 0,02 0,02 0,02 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r goff = 5,1 w t d off 0,21 0,24 0,25 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r goff = 5,1 w t f 0,06 0,07 0,07 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 75 a, v ce = 300 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, di/dt = 4000 a/s (t vj = 150c) r gon = 5,1 w e on 0,385 0,55 0,66 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 75 a, v ce = 300 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, du/dt = 4000 v/s (t vj = 150c) r goff = 5,1 w e off 3,35 3,90 4,20 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 360 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 360 290 a a t vj = 25c t vj = 150c t p 10 s, t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,60 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,19 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
5 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,brems-chopper/diode,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 650 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 30 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 60 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 90,0 82,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 30 a, v ge = 0 v i f = 30 a, v ge = 0 v i f = 30 a, v ge = 0 v v f 1,60 1,55 1,50 2,00 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 30 a, - di f /dt = 600 a/s (t vj =150c) v r = 300 v i rm 22,0 24,0 27,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 30 a, - di f /dt = 600 a/s (t vj =150c) v r = 300 v q r 1,15 2,30 2,70 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 30 a, - di f /dt = 600 a/s (t vj =150c) v r = 300 v e rec 0,12 0,30 0,36 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,80 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,57 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
6 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,009 k/w modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 40 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc' 4,00 2,00 m w h?chstzul?ssigesperrschichttemperatur maximumjunctiontemperature wechselrichter,brems-chopper/inverter,brake-chopper gleichrichter/rectifier t vj max 175 150 c c temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions wechselrichter,brems-chopper/inverter,brake-chopper gleichrichter/rectifier t vj op -40 -40 150 150 c c lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm gewicht weight g 300 g bei betrieb mit vge = 0v/+15v empfehlen wir einen rgon,min von 24 ohm und eine rgoff,min von 24 ohm (siehe an 2006-01) for operation with vge= 0v/+15v we recommend a rgon,min of 24 ohms and a rgoff,min of 24 ohms (see an 2006-01)
7 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =3.3 w ,r goff =3.3 w ,v ce =300v i c [a] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c
8 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =100a,v ce =300v r g [ w ] e [mj] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0 1 2 3 4 5 6 7 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 z thjc : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,027 0,01 2 0,1485 0,02 3 0,144 0,05 4 0,1305 0,1 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =3.3 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 100 200 300 400 500 600 700 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
9 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =3.3 w ,v ce =300v i f [a] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =100a,v ce =300v r g [ w ] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 z thjc : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,048 0,01 2 0,264 0,02 3 0,256 0,05 4 0,232 0,1 durchlasskennliniederdiode,gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 150c
10 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c durchlasskennliniederdiode,brems-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
11 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j i n f in e o n
12 technischeinformation/technicalinformation FP100R07N3E4 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-11-05 revision:2.1 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j i n f in e o n

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